随着半导体器件向更小尺寸、更高性能发展，表界面原子级结构对器件性能的影响愈发显著。表界面缺陷不仅降低载流子迁移率、增加电
在近期落幕的第 37 届功率半导体器件与集成电路国际会议（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大学电气工程学院电力电子器件实验室（PEDL）取得了令人瞩目的成绩。团队共有四篇论文被选为大会全体报告（Oral Session）。该核心报告数量在全球所有高校、研究机构和企业中位居第一，充分彰显了浙大 PEDL 团队在宽禁带功率半导体领域的卓越科研实力。
第37届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）举办。本网特派记者参加ISPSD2025，并在现场也遇见了联盟和IFWS&SSLCHINA诸多老朋友，同时也了解了当前最新技术&新方向，以下简单回顾一下热点走向！
6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025）
5月23-24日， 2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）在南京举办。
5月23日，2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大启幕。新微半导体总经理王庆宇应邀出席，发表了题为“氮化镓赋能未来：突破功率极限，引领能效革命”的主旨演讲，深度解读氮化镓在能效领域的卓越优势
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。东南大学副教授魏家行将受邀出席会议，并带来《碳化硅功率MOSFET关键技术新进展》的主题报告，报告将从产品结构、制造工艺、可靠性、典型应用等方面出发，介绍当下SiC功率MOSFET器件关键技术的最新进展，并对未来的发展趋势做出展望，敬请关注！
5月22-24日，“2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。江苏超芯星半导体有限公司将亮相此次会议。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临展位参观交流、洽谈合作。
5月22-24日，“2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京国联万众半导体科技有限公司将携多款产品亮相此次会议。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临展位参观交流、洽谈合作。
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。期间，扬州扬杰电子科技股份有限公司将携多款产品亮相此次会议。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临展位参观交流、洽谈合作。
5月22-24日，“2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。期间，深圳市矢量科学仪器有限公司将携多款产品亮相此次展会。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临展位参观交流、洽谈合作。
详细日程| 2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）5月22-24日南京见!
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。复旦大学上海碳化硅中心副主任刘盼将受邀出席会议，并带来《1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！
5月22-24日，2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）将于南京举办。中国科学技术大学教授杨树将受邀出席会议，并带来《高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京国联万众半导体科技有限公司总经理助理王川宝将受邀出席论坛，并带来《SiC基GaN射频芯片与电力电子芯片技术》的大会报告，
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京智慧能源研究院功率半导体研究所测试研究室主任陈中圆将受邀出席论坛，并带来《基于正向压降表征的碳化硅MOSFET结温测量方法研究》的大会报告，分享最新研究成果，敬请关注！
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红将受邀出席论坛，并带来《宽禁带半导体3D集成技术》的主题报。报告将围绕材料异质集成、器件3D集成与功能模块3D集成三大方向展开分析，分享最新研究成果，敬请关注！
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，西安电子科技大学集成电路学部/教授、芯丰泽半导体创始人宋庆文将受邀出席论坛，并带来《高性能SiC功率器件关键技术研究进展》的主题报告，报告将介绍包括高性能平面和Trench 栅型SiC功率MOSFET等代表性器件的现状和最新进展，讨论高性能SiC功率器件关键性能提升和可靠性等方面热点问题，敬请关注！
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，西安电子科技大学教授赵胜雷将受邀出席论坛，并带来《GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！
5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。江南大学教授/博导黄伟将受邀出席论坛，并带来《高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究》的主题报告，将聚焦宇航电子领域对高可靠功率器件的迫切需求，分享相关最新研究成果，敬请关注！