该调查将初步评估中国的行为、政策和做法对碳化硅衬底或其他用作半导体制造投入的晶片生产的影响。

国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利，公开号 CN 119153

唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目将扭转化合物半导体激光器外延片长期依赖进口的局面，助力下游半导体激光器、射频芯片等国产化。

晶益通半导体官方消息宣布，IGBT模块材料和封测模组产业园一期项目已顺利封顶，项目预计将在明年4月竣工并交付使用。

新站高新区与深记设备搬运安装有限公司举行项目签约仪式，进一步助力我区新型显示、半导体产业发展。

12月14日，由半导体投资联盟主办、爱集微承办的2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼在上海圆满举行。现场，东方晶源微电子科技

国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延

在近期发表于 Science 的研究中，德国赫姆霍兹研究所Christoph J. Brabec和武建昌联合厦门大学王露遥、卡尔斯鲁厄理工学院 Pascal Friederich和韩国蔚山国立科学技术院Sang Il Seok开发了一种闭环自动化工作流程，首次实现了针对光电应用的有机半导体逆向设计，通过大数据和机器学习识别出决定有机半导体光电性能的关键因素，并将器件性能提升至26.2%的光电转换效率（PCE），这是该领域的重要突破。

12月21日，合肥新站高新区与深记设备搬运安装有限公司举行项目签约仪式。该项目占地面积58亩，总投资3亿元，建成后将用于半导体

韩国政府决定将四大先进产业（半导体、显示器、二次电池和生物）的政策融资扩大到2025年的25.5万亿韩元（约合人民币1285亿元）。

合肥喆晶睿研半导体科技有限公司国产化制造一站式良率提升实验室平台项目正式开工

12月19日，由南京市玄武区人民政府、电子城高科主办，红山新城产业促进中心、电子城南京公司承办，玻色量子、电子城集成电路服务

欧盟委员会批准了一项13亿欧元的意大利补贴，以支持新加坡初创公司Silicon Box在诺瓦拉建造一个半导体先进封装和测试设施。

芯易德集成电路封装测试产业园项目在望城经开区开工

任职时间只有近1个月时间拜登计划对中国生产的成熟制程半导体开展不公平贸易行为调查。

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为检测晶圆位置的方法、晶圆环切方法及晶圆环切装置的专利，公开号 C

经过近一年时间的酝酿筹备，中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）“半导体激光器专业委员会“（下称“激光器专委会”）于2024年12月18日式正式成立。

中国氮化镓晶圆制造商英诺赛科（02577.HK）启动招股，并将于2024年12月23日结束招股。

武汉金信新材料有限公司（以下简称“金信新材料”）芯片用第三代半导体8英寸碳化硅晶锭项目完成研发，通过了行业专家验证