据上海崇明消息，6月26日上午，位于上海崇明长兴产业园区的上海良薇科拓森总部研发生产基地项目宣告封顶。该项目位于长舸路前卫

中国科学院宁波材料技术与工程研究所江南研究员领导的功能碳素材料团队通过创新技术，成功制备出4英寸、厚度小于100 μm的金刚石自支撑薄膜。

浙江晶瑞电子材料有限公司年产60万片8英寸碳化硅衬底片切磨抛产线项目

芯慧联集成电路工艺设备研发制造基地项目奠基。

6月25日下午，东湖高新区管委会与长江产业集团签署战略合作协议。市委常委、东湖高新区党工委书记沈悦，长江产业集团党委书记、

芯锋宽泰科技（北京）有限公司因持续经营困难，已进入法院审理阶段，并正式启动破产清算程序。

据株洲新区发布消息，6月22日上午，诺天碳化硅半导体设备与基材生产基地项目投产仪式在株洲高新区举行。该项目总投资约1.5亿元，

6月25日，国务院台办举行例行新闻发布会。有记者问，近日，台经济主管部门称，已将601个实体纳入出口管制名单，其中包括华为、中

芯联集成（688469）发行股份购买资产获审核通过，成为年内科创板首个过会的并购重组案例。

6月24日，Rokid（灵伴科技）与蓝思科技联合开发的AI+AR眼镜产品Rokid Glasses在蓝思科技湘潭基地下线。这也是全球首款实现规模化

深圳平湖实验室超宽禁带半导体ZHANG Daohua、万玉喜团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作，成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的 高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件。

GaN基蓝光激光器由于其亮度高、方向性好、体积小等优点在激光显示、激光照明和金属加工等领域有着广阔的应用市场和应用前景，近

2025年2月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在氧化镓晶体生长与加工技术方面取得了新突破，成功实现6英寸斜切氧化镓衬底的制备，其中衬底主面为(100)面沿 [00-1] 方向斜切4°。

DX65TA030是一款650V,30mΩ增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管，采用TOLL封装与宽禁带技术，实现高功率密度。具备开尔文连接，

6月23日，英诺赛科(02577.HK)公告，公司已于近日与广东威灵电机制造有限公司达成战略合作，成功在家电电机驱动领域实现突破。双

据越海集成消息，6月20日，广东越海集成技术有限公司首批MEMS制造设备正式入驻厂区，这标志着越海集成国内首条12英寸CMOS-MEMS智

天眼查信息，近日斯达半导体（重庆）有限公司成立，注册资本5000万元，经营范围为半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；集成

据靖江发布公众号消息，日前，新恒和半导体装备产业园项目开工。据悉，新恒和半导体装备产业园项目是靖江新恒和半导体科技有限公

半导体产业网获悉：近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称中微公司，股票代码：688012）宣布其刻蚀设备系列喜迎又

台积电2nm制程将量产，2028年底月产能将或达20万片。